Компания «Samsung» приступила к серийному выпуск более продвинутых 3-нм чипов

Примечательно, что главный конкурент «Samsung», тайваньская компания «TSMC», планирует серийно выпускать 3-нм чипы только в третьем квартале 2022 года.

Южнокорейский разработчик «Samsung» реализовал архитектуру транзисторов с круговым размещением затворов (Gate-All-Around).

В качестве пластин используются нанолисты с более широкими каналами, увеличивающие производительность и энергоэффективность по сравнению с нанопроволоками с более узкими каналами.

Разработчики смогут регулировать ширину канала нанолиста, чтобы оптимизировать характеристики для разных нужд.

Технология «Multi-Bridge-Channel» FET (MBCFET) дополнительно повышает энергоэффективность за счет снижения уровня напряжения питания, а также производительность за счет увеличения допустимого тока на приводе.

Первым делом «Samsung» использует свои нанолистовые полупроводниковые чипы для приложений, выполняющих вычисления, требующие высокой производительности.

В скором будущем их планируют внедрить в мобильные процессоры, которые должны сделать смартфоны еще мощнее и автономнее.

«Samsung» быстро растет, поскольку мы продолжаем лидировать в применении технологий следующего поколения, таких как первые в литейной промышленности металлические ворота «High-K», «FinFET», а также «EUV». Мы стремимся сохранить это лидерство благодаря первому в мире 3-нанометровому техпроцессу с «MBCFET», — прокомментировал президент и руководитель литейного производства «Samsung Electronics» Сиенг Чой.

Старший вице-президент Cadenc Том Бекли отметил, что в чипах «Samsung» реализованы цифровые решения его компании, такие как технология «Cadence Cerebrus», повышающая производительность за счет искусственного интеллекта.

• Другие новости: ВО ФРАНЦИИ ИЗ-ЗА ГРОЗЫ ОТМЕНЕН ПРОЩАЛЬНЫЙ КОНЦЕРТ ЛЕГЕНДАРНОЙ РОК-ГРУППЫ «KISS»