Компания «SK Hynix» представила модули оперативной памяти нового поколения емкостью до 256 Гб
Компания «SK Hynix» сегодня, 6 октября 2020 года, представила первую в мире оперативную память следующего поколения — «DDR5 DRAM», или «Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory».
Анонсированные изделия оптимизированы для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных.
По сравнению с памятью предыдущего поколения — «DDR4» — улучшены все ключевые характеристики.
Новая память «SK Hynix» обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза превышает базовые показатели памяти «DDR4».
При этом напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность.
Реализована поддержка коррекции ошибок «ECC» — «Error Correcting Code».
Утверждается, что по сравнению с памятью предыдущего поколения надёжность работы приложений возрастёт в 20 раз.
Наконец, говорится, что ёмкость модулей оперативной памяти «SK hynix DDR5 DRAM» может достигать 256 Гбайт при использовании технологии производства «Through-Silicon-Via» (TSV).
Поначалу «DDR5 DRAM» будет проникать в серверный сегмент.
«SK Hynix» отмечает, что память нового поколения позволит существенно сократить энергопотребление и стоимость владения дата-центров при одновременном увеличении надёжности и производительности.
Подписывайтесь на наш Telegram-канал
Следите за новостями ТТ-Инфо в социальных сетях facebook и twitter
11 июня, 14:24
78
Госдеп США одобрил продажу Кувейту дронов-перехватчиков и оборудования на сумму в 1,98 млрд долларов
11 июня, 10:30
73
Американец провел более 50 дней в тюрьме из-за ошибки технологии распознавания лиц на основе ИИ
11 июня, 10:11
87
